1064nm APD தொகுதிகள்

மாடல்: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

குறுகிய விளக்கம்:

இது மேம்படுத்தப்பட்ட Si avalanche photodiode module with pre-ampliification circuit, இது பலவீனமான மின்னோட்ட சமிக்ஞையை பெருக்க உதவுகிறது மற்றும் ஃபோட்டான்-ஒளிமின்னழுத்த-சிக்னல் பெருக்கத்தின் மாற்ற செயல்முறையை அடைய மின்னழுத்த சமிக்ஞையாக மாற்றுகிறது.

மேற்கோள் கிடைக்கும் பதிவிறக்க Tamil

தொழில்நுட்ப அளவுரு

தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

அம்சங்கள்

முன்பக்கம் ஒளிரும் பிளாட் சிப்
அதிவேக பதில்
உயர் APD ஆதாயம்

விண்ணப்பங்கள்

லேசர் வரம்பு
லேசர் தொடர்பு
லேசர் எச்சரிக்கை

ஒளிமின்னழுத்த அளவுரு (@Ta=22±3℃)

உருப்படி #	தொகுப்பு வகை	ஒளிச்சேர்க்கை மேற்பரப்பின் விட்டம்(மிமீ)	நிறமாலை மறுமொழி வரம்பு (என்எம்)	முறிவு மின்னழுத்தம் (வி)	பொறுப்புணர்வு எம்=100 λ=1064nm (kV/W)	உயரும் நேரம் (என். எஸ்)	அலைவரிசை (MHz)	வெப்பநிலை குணகம் Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	சத்தத்திற்கு சமமான சக்தி (pW/√Hz)	செறிவு (μm)	மற்ற நாடுகளில் மாற்றப்பட்ட வகை
GD6212Y	TO-8	0.8	40-1100	350-500	150	8.8	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A